미국 Micron Technology는 26일(현지 시간)세계 첫 232층 NAND양산을 시작했다고 발표했다.업계 최고 수준의 밀도를 갖추게 되었으며 이는 기존 NAND와 비교해서 대용량화 와 더불어 소비 전력 효율도 향상이라는 측면이 있다.
Micron Technology는 발표에서 3D NAND로 200층을 넘는 적층 수를 넘어서면서 가로 세로비의 구조를 형성하는 고도의 프로세스 기술, 신재료, 176층 NAND기술에 근거한 최첨단 설계 기술의 진전을 포함한 광범위한 이노베이션이 필요했다고 밝혔으며, 이는 큰 분기점에 섰다고 언급했다.
232층 NAND는 업계 최고의 NAND I/O속도(2.4GB/s)을 실현하고 있으며 기존의 176층 NAND보다 50%가 빠른 성능을 보여주며, 다이 주변의 쓰기 성능 폭은 최대 100%, 읽기 대역 폭은 75%이상 의 성능 향상이 있다고 밝혔다.
게다가 세계 최초로 6플레인 동작의 TLC NAND가 양산화된다.이는 TLC플래시 속에서 대성공의 플레인 수가 가장 많았고 각 보통으로 독립하고 판독도 가능.고속 I/O과 낮은 레이턴시 같은 특성과 함께 다양한 구성에 있어서 반 최고 수준의 데이터 전송 속도를 실현한다.
또한 데이터 전송 비트인당 소비 전력을 30%이상 줄어들어, 저전압 인터페이스 NV-LPDDR4 에 대응하는 최초의 제품도 출시할 예정이며 모바일 애플리케이션과 데이터 센터, 인텔리전트 에지로의 이용에도 호적.기존의 콘트롤러나 시스템과의 하위 호환성도 유지하고 있다고 밝혔다.
TLC의 면적당 용량 밀도는 지금까지 가장 높은 14.6Gb/제곱 mm를 달성. 이는 시장에 있는 타사 제품과 비교하면35%~100%나 높은편으로 패키지는 11.5×13.5mm 사이즈라고 한다. 이것도 앞선 세대의 회사 제품과 비교하고 28% 작은 최소 사이즈의 NAND 라고 밝혓으며, 덕분에 기판 실장 면적도 줄일 수 있다고 덧붙였다.
232층 NAND는 싱가포르 공장에서 양산되면서 당분간 Crucial 브랜드의 SSD에 탑재되기 시작하며 다양한 제품 라인으로 출시를 한다고 한다. 하지만 NAND 가 탑재되는 제품 과 제공 시기에 대해서는 추후 발표할 예정으로 이번 공개에서는 밝히지 않았으며 232층 NAND 발표만 이뤄졌다.
https://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/1427879.html
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