삼성에서 21일 첫 12nm급 DDR5 DRAM을 개발 했다고 발표. 양산은 2023년 예정.
업계 첫 12nm클래스의 프로세스 기술을 이용하여 제조된 16Gb의 DDR5 DRAM 으로 셀 용량을 높이기 위해서 새로운 고전율 재료를 채택하고 중요한 회로 특성을 개선하는 자체 설계 기술을 사용했다고 밝혔다. 업계 최고의 다이 밀도를 실현하는 웨이퍼당 생산성을 20%향상시킬 수 있다고 한다.
전송 속도는 최대 7.2Gbps이며, 소비 전력도 최대 23%삭감하는 전력 효율을 높였다
.또 AMD와의 호환성에 관한 제품 평가도 완료되었다.
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